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PMOSFET的NBTI效应
文献类型：会议
作者单位：华南理工大学应用物理系(广州五山) 信息产业部电子第五研究所(广州)
会议文献：中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会论文集
会议名称：中国电子学会可靠性分会第十二届学术年会
会议日期：20041001
会议地点：重庆
主办单位：中国电子学会
出版日期：20041001
语 种：中文
摘 要：随着工艺的进步,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受NBTI(Negative Bias Temperature Instability)效应影响而失效的现象愈发严重,NBTI效应成为器件可靠性的一个焦点问题.本文综述了NBTI效应的产生机理、影响因素、减缓方法以及与之相关的一些前沿问题.
关 键 词：栅氧可靠性 NBTI效应 退化现象 场效应器件 半导体器件
分 类 号：TN386] TN306
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