文献类型：会议

作　　者：刘彩霞 徐朝鹏 徐玉恒

作者单位：哈尔滨工业大学理学院应用化学系(黑龙江哈尔滨)

会议文献：第五届中国功能材料及其学术会议论文集Ⅲ 第35卷增刊

会议名称：第五届中国功能材料及其学术会议

会议日期：20040801

会议地点：秦皇岛

主办单位：中国仪器仪表学会;中国金属学会;中国稀土学会;中国复合材料学会;中国有色金属学会

出版日期：20040801

语　　种：中文

摘　　要：在SBN中掺进0.1﹪(质量分数)CeO<,2>和0.1﹪(质量分数)Eu<,2>O<,3>,以Czochralski技术生长Ce:Eu:SBN晶体,在空气中退火24h,退火温度为1300℃.测试Ce:Eu:SBN晶体的位相共轭反射率和响应时间.Ce:Eu:SBN晶体最大位相共轭反射率(R=92﹪)和响应时间(38s),以Ce:Eu:SBN晶体作为存储元件和位相共轭镜(阈值,增益反馈系统)进行全息关联存储实验.系统具有实时处理、反复使用、成像质量好、信噪比高等优点.Ce:Eu:SBN晶体是比SBN晶体全息存储性能更好的晶体.

关 键 词：Ce:Eu:SBN晶体  全息存储性能 位相共轭

分 类 号：O782] O731