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MOS器件电离辐射总剂量退化的温度效应
文献类型：会议
作者单位：华南理工大学微电子研究所 广州 510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广州 510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广州 510610 华南理工大学微电子研究所 广州 5106402
会议文献：第十二届全国可靠性物理学术讨论会论文汇编
会议名称：第十二届全国可靠性物理学术讨论会
会议日期：20070100
会议地点：四川都江堰
主办单位：中国电子学会
出版日期：20070100
语 种：中文
摘 要：MOS器件辐射效应的一些基本物理过程,如电荷产生、空穴输运、俘获与退火以及界面陷阱增长与退火等,取决于辐照总剂量、辐照剂量率、偏置条件、环境温度、器件氧化层工艺条件等因素;本文对上述物理过程的机理进行了探讨,并着重分析了温度与两类电荷(氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷)的变化关系。
关 键 词：MOS器件 电离辐射 辐射效应 总剂量退化 温度效应
分 类 号：TN386.1]
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