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掺杂MgO薄膜对SMPDP性能的影响
文献类型：会议
作者单位：东南大学电子科学与工程学院显示中心 江苏省信息显示工程技术研究中心 南京华显高科有限公司,江苏 南京 210018
会议文献：2008中国平板显示学术会议论文集
会议名称：2008中国平板显示学术会议
会议日期：20080301
会议地点：上海
主办单位：中国物理学会;中国光学光电子行业协会
出版日期：20080301
语 种：中文
摘 要：本文主要介绍了荫罩式等离子显示器MgO制备中掺杂对MgO性能的影响.通过电子束蒸发制备无掺杂MgO和掺杂的MgO作为保护膜,并制备试验屏.通过XRD分析研究了MgO的微观结构,并测量了静态记忆余裕度(Margin).结果显示通过掺杂的MgO可以大大改善SMPDP的性能.
关 键 词：等离子体显示器 氧化镁 掺杂改性 静态记忆余裕度
分 类 号：TN873.94] TN804
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