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老炼对荫罩式PDP的静态放电特性及MgO薄膜的影响
文献类型：会议
作者单位：东南大学电子科学与工程学院显示中心 江苏省信息显示工程技术研究中心 南京华显高科有限公司,南京,210096
会议文献：2008中国平板显示学术会议论文集
会议名称：2008中国平板显示学术会议
会议日期：20080301
会议地点：上海
主办单位：中国物理学会;中国光学光电子行业协会
出版日期：20080301
语 种：中文
摘 要：本文研究了老炼过程对42寸新型荫罩式PDP(SM-PDP)的静态放电特性及MgO薄膜的影响.持续的老炼使荫罩式PDP的着火电压和维持电压逐渐降低并维持稳定,而静态记忆余裕度(static margin)则持续缓慢增大并稳定.运用FESEM观察了老炼前后放电区域MgO薄膜表面形貌的变化,发现MgO薄膜表面比老炼前平滑,晶体结构发生了较大的改变.
关 键 词：等离子体显示器 老炼过程 荫罩式PDP 静态放电特性 氧化镁薄膜
分 类 号：TN873.94] TN804
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