文献类型：会议

作　　者：王翔 苏深伟

作者单位：北京航空航天大学电子科学与技术系,北京,100083

会议文献：传感技术学报

会议名称：第八届中国微米/纳米技术学术年会

会议日期：20060921

会议地点：南京

主办单位：中国仪器仪表学会;中国机械工程学会

出版日期：20060921

语　　种：中文

摘　　要：本文采用磁控溅射法制备了SmTbFeCo/Cr/TbFeCo系列非晶垂直磁化膜,研究了不同的Cr中介层厚度tCr对薄膜的磁性能和层间交换耦合的影响.VSM检测结果显示:薄膜的垂直磁性能随着tCr的变化而变化,其中饱和磁化强度Ms的变化曲线呈明显的周期振荡特性.饱和场Hs、(1-M/Ms)随tCr的变化曲线表明,两个磁性层的层间交换耦合随着tCr的增加,在反铁磁耦合与铁磁耦合之间振荡变化,周期为16(A),耦合强度逐渐衰减.分析表明,矫顽力Hc的变化主要源于Cr中介层对SmTbFeCo层微结构的影响,而Ms的变化则与层间交换耦合作用有关.文中还分析了稀土非晶膜的氧化问题.

关 键 词：薄膜  光磁混合记录  Cr中介层  交换耦合 垂直磁化  磁控溅射

分 类 号：O484.4] TN305.92[物理学类]