会议论文详细信息
深亚微米CMOS集成电路ESD保护技术研究综述
文献类型：会议
作者单位：上海海事大学电磁兼容与静电研究室,上海,200135 甘肃中医学院学生处,兰州,730000
会议文献：军械工程学院学报
会议名称：中国物理学会第十三届静电学术年会
会议日期：20061014
会议地点：石家庄
主办单位：中国物理学会
出版日期：20061014
语 种：中文
摘 要：随着CMOS技术进入深亚微米领域,CMOS器件薄栅氧化层厚度、PN结更浅及器件沟道更短,这就导致CMOS集成电路容易遭受ESD损害(只需较低的能量和电压就可以损坏CMOS器件).因此,CMOS器件的ESD保护变得既重要,又更加困难.本文介绍深微米CMOS集成电路ESD保护技术的最新进展,探讨CMOS器件保护电路设计和优化中出现的问题,并进行详细讨论.
关 键 词：ESD保护 集成电路 CMOS保护器件
分 类 号：O441]
参考文献：
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引证文献：
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同被引文献：
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