文献类型：会议

作　　者：林涛 万玲玉 冯哲川

作者单位：广西大学物理科学与工程技术学院,广西相对论天体物理重点实验室

会议文献：2016年全国光机电技术及系统学术会议暨中国光学学会光电技术专委会/中国仪器仪表学会光机电分会会员代表大会论文集

会议名称：2016年全国光机电技术及系统学术会议暨中国光学学会光电技术专委会/中国仪器仪表学会光机电分会会员代表大会

会议日期：20161014

会议地点：桂林

主办单位：中国光学学会;中国仪器仪表学会;中国兵工学会

出版日期：20161014

语　　种：中文

摘　　要：InGaN/GaN multiple quantum well(MQW)light-emitting diodes(LEDs)have attractedwidespread attention for their potential applications in next generation solid state lighting.Inrecent years,efforts were made to overcome the “green gap” of MQW structures,which is thatthe internal quantum efficiency(IQE)of their emission drops dramatically when the wavelengthextends from blue to green range.

分 类 号：TN3] TN2