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会议论文详细信息

硅反应性机理的探索       

文献类型:会议

作  者:苏旭平 李智 尹付成 潘世文

作者单位:湘潭大学机械工程学院材料工程系 湘潭大学机械工程学院材料工程系 湘潭大学机械工程学院材料工程系 湘潭大学机械工程学院材料工程系

基  金:国家自科基金[50471064];教育部新世纪优秀人才培养计划基金 NCET-04-778资助。

会议文献:第十三届全国相图学术会议暨中日双边相图、材料设计及其应用研讨会论文集

会议名称:第十三届全国相图学术会议暨中日双边相图、材料设计及其应用研讨会

会议日期:20061100

会议地点:中国福建厦门

主办单位:The Committee on Phase Diagram of Chinese Physical Society;The 172nd Committee on Alloy Phase Diagrams of Japan Society for the Promotion of Science

出版日期:20061100

语  种:中文

摘  要:根据对 Zn-Fe-Si 三元体系的评估计算,硅的化学位随着锌含量的增加而迅速提高,分析出镀层中的硅有向铁含量高的物相(δ层和ζ层相界附近的δ相、相界和ζ相晶界)富集的趋势。ζ相晶粒间液体硅浓度升高,ζ相晶界附近存在液体来容纳硅,液相出现在ζ相晶界,穿过ζ相与外面的锌液连接, 形成液体通道,液体直接与δ相接触,液体可以沿着微裂纹腐蚀δ相,形成破碎的 Diffuse-Δ(δ相+锌液)区域。用扩散通道理论解释了一般热浸镀中硅的反应性机理。

关 键 词:热浸镀 硅反应性  动力学

分 类 号:TG174.443]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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