文献类型：会议

作　　者：张瑜 胥昊宇 张路凯 丛日东 于威

作者单位：河北大学物理科学与技术学院新能源光电器件国家地方联合工程实验室

基　　金：国家重点研发专项，P.R.C.[基金号：2018YFB150050302];国家军事科学技术委员会项目，P.R.C.[基金号：JCKY2018407C010];河北省自然科学基金，P.R.C.[基金号：F2018201058]。

会议文献：2020第四届全国太阳能材料与太阳能电池学术研讨会摘要集

会议名称：2020第四届全国太阳能材料与太阳能电池学术研讨会

会议日期：20201127

会议地点：中国江苏苏州

出版日期：20201100

学会名称：中科能合工程技术研究院(北京)有限公司

语　　种：中文

摘　　要：1.引言硅基MoS太阳能电池高效光伏性能研发的基础在于MoS薄膜在晶硅衬底上的大面积直接沉积和微观结构调控。薄膜的低温沉积技术是硅基MoS电池各功能层成功制备的关键,其不仅为光伏器件的大面积制备提供了条件,而且低温下较小的原子扩散也为各膜层的结构调整和功能控制提供了可能。磁控溅射镀膜技术具有沉积速度快、成膜均匀致密且与基片附着性好等优点,是生产大面积高质量MoS的最有效方法。

关 键 词：磁控溅射法 MOS2 光伏器件

分 类 号：TQ136.12] TB383.2[材料类] TM914.4]