文献类型：会议

作　　者：陶春兰 董茂军 张旭辉 张福甲

作者单位：兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所 兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所 兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所 兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所

基　　金：国家自然科学基金(60676033)

会议文献：第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）

会议名称：第六届中国功能材料及其应用学术会议

会议日期：20071100

会议地点：中国湖北武汉

主办单位：重庆仪器材料研究所;中国仪器仪表学会仪表材料分会;国家仪表功能材料工程技术研究中心

出版单位：国家仪表功能材料工程技术研究中心、中国仪器仪表学会仪表...

出版日期：20071100

学会名称：中国仪器仪表学会仪表材料分会

语　　种：中文

摘　　要：以 X 射线衍射仪（XRD）研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶体结构,通过原子力显微镜（AFM） 分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌．以热氧化的硅片作为绝缘栅极,并五苯作为有缘层,采用底接触结构,研制场效应晶体管．经过测试得到其场效应迁移率为1．23cm/Vs,开关电流比＞10～6．

关 键 词：并五苯 场效应晶体管 XRD AFM 迁移率

分 类 号：TN386]