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会议论文详细信息

Mn和Mn-Cd掺杂GaN物性的第一性原理研究       

文献类型:会议

作  者:王爱玲 毋志民

作者单位:重庆师范大学物理与电子工程学院光学工程重点实验室

基  金:教育部科学技术重点项目(211152);重庆市教委科学技术研究项目(KJ110634);重庆市高校创新团队项目(201013);重庆师范大学博士基金(07XLB017)

会议文献:2011中国功能材料科技与产业高层论坛论文集(第三卷)

会议名称:加速功能材料自主创新,促进西部战略性新兴产业发展——2011中国功能材料科技与产业高层论坛

会议日期:20111116

会议地点:中国重庆

主办单位:中国仪器仪表学会仪表功能材料学会;重庆市科学技术协会;重庆市科学技术研究院;重庆大学;重庆材料研究院(重庆仪表材料研究所);中国人民解放军后勤工程学院;重庆功能材料期刊社;国家仪表功能材料工程技术研究中心

出版单位:美国科研出版社(ScientificResearch...

出版日期:20111116

学会名称:中国仪器仪表学会仪表材料分会

语  种:中文

摘  要:采用基于密度泛函理论的第一性原理超软赝势方法,在局域密度泛函近似下,计算了Mn和Mn-Cd掺杂纤锌矿GaN的电子结构、光学和磁学等性质。结果表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,表现为半金属性,适于自旋注入,与Mn掺杂GaN比较,Cd共掺后半金属稳定性减弱,但居里温度升高,空穴浓度增大,材料的导电性得到改善。通过分析GaN晶体在掺杂前后的介电函数和复折射率函数,解释了体系的发光机理。

关 键 词:Mn和Mn-Cd掺杂GaN  第一性原理 电子结构  光学性质 居里温度

分 类 号:TN305.3]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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