文献类型：会议

作　　者：彭应全 杨青森 邢宏伟 李训栓

作者单位：兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所

会议文献：第11届全国发光学学术会议论文摘要集

会议名称：第11届全国发光学学术会议

会议日期：20070800

会议地点：中国吉林长春

主办单位：中国物理学会发光分会;中国稀土学会发光专业委员会

出版日期：20070800

学会名称：中国物理学会发光分会

语　　种：中文

摘　　要：电流传导以及载流子和电场分布对认识有机发光器件(OLED)的微观物理过程至关重要。众所周知,对于单层 OLED,对电流的传导有两个限制因素,即注入界面势垒和有机体内阻抗,而其电流传导状态也因而分为注入限制传导和体限制传导两种。对于双层 OLED,除金属-有机界面势垒和有机体阻抗外,还有一个限制因素,这就是有机-有机(OO) 界面。双层 OLED 的电流传导状态而可分为注入限制、体限制和有机-有机界面限制3种。基于跳跃传导理论,我们推导出了有机界面电流传导的解析表达式。借助这一表达式, 建立了双层 OLED 电流传导、载流子和电场分布的自洽数值模型。计算结果表明当层Ⅰ(与注入电极相连)的迁移率较低、陷阱密度较大且界面势垒较低(Φ＜0．5 eV)时,电流密度随着界面势垒的增加几乎保持不变,呈现典型的体限制传导(Fig．1)。当层Ⅰ的迁移率高、陷阱密度低且界面势垒较大(Φ＞0．7 eV)时,电流密度随着势垒的增大迅速减小,属于典型的有机界面限制传导。当界面势垒较低时,层Ⅰ的输运特征参数(迁移率、陷阱密度)对层Ⅱ (与收集电极相连)中的电场和载流子浓度分布具有显著影响。对给定的工作电压和有机层厚度, 层Ⅰ的迁移率越高、陷阱密度越低,层Ⅱ中的电场将越强,载流子浓度也越高。这时,一部分工作电压将降落在层Ⅰ上,且其电场近似线性地随着座标增加(Fig．2a)。而载流子浓度则开始随着座标增大而减小。达到一极小值后又开始增大。对于较高的界面势垒(Φ＞0．7 eV),层Ⅰ的输运参数对层Ⅱ中的电场及载流子分布影响很微弱,器件将工作在有机界面限制传导状态,这时,绝大部分的工作电压将降落在层Ⅱ上。层Ⅰ中载流子浓度分布的特征是,随着层Ⅱ输运能力的提高, 其分布的极小值从有机界面附近向注入电极方向移动。

分 类 号：O482.31]