文献类型：会议

作　　者：许经东 江向平 陈超 黄枭坤 聂鑫 黄立伟

作者单位：景德镇陶瓷大学材料科学与工程学院江西省先进陶瓷材料重点实验室

会议文献：第十一届无机材料结构、性能及测试表征技术研讨会程序册与摘要集

会议名称：第十一届无机材料结构、性能及测试表征技术研讨会

会议日期：20201120

会议地点：中国福建厦门

出版日期：20201120

语　　种：中文

摘　　要：采用传统固相法制备（NaBi）（KCe）BiTaO （NBTO-x,0≤x≤0.15）无铅压电陶瓷,研究K/Ce离子含量对NBTO陶瓷结构和电学性能的影响。XRD结果显示所有陶瓷样品均生成了m=2的铋层状结构化合物,且未发现其他明显杂峰;随着K/Ce离子含量的增加,样品的Curie温度T逐渐降低;K/Ce离子掺杂提高了样品的压电性能,压电常数d随掺杂量提高呈现出先升高后降低趋势,当x=0.075时,样品的综合性能达到最佳:d=19.0pC/N,Curie温度T=735℃,介电损耗tanδ=0.137%,体积密度ρ=9.113 g·cm;NBTO （x=0.075）陶瓷在600℃退火2h,其d仍高达17.8 pC/N,约为初始值(d=19.0 pC/N)的93.7%,表现出良好的温度稳定性。

关 键 词：电学性能 Na0.5Bi2.5Ta209  

分 类 号：TQ174.1]