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氮化铟半导体材料的光学和电学特性
文献类型：会议
作者单位：日本国立大学法人佐贺大学理工学部
会议文献：科技、工程与经济社会协调发展——中国科协第五届青年学术年会论文集
会议名称：中国科协第五届青年学术年会
会议日期：20040000
主办单位：中国土木工程学会
出版单位：中国科学技术出版社
出版日期：20040000
语 种：中文
摘 要：Ⅲ族氮化物半导体由于在光电子和微电子器件上的广阔应用前景,已经引起了人们极大的兴趣。氮化铟(InN)是低损耗高效电池、光学掩膜及多种传感器的优选材料。InN、GaN和AlN的合金带隙对应于可见-近紫外光波段,因而使制
关 键 词：氮化铟 磁控溅射 拉曼散射光谱 载流子浓度
分 类 号：TN304]
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