会议论文详细信息
芯片氧化层静电放电击穿模型研究
文献类型：会议
作者单位：上海海事大学电磁兼容与静电研究室
基 金：上海市科技基金(031Z01)
会议文献：中国物理学会静电专业委员会第十二届学术年会论文集
会议名称：中国物理学会静电专业委员会第十二届学术年会
会议日期：20051000
会议地点：中国青岛
主办单位：中国物理学会静电专业委员会
出版单位：《北京理工大学学报》编辑部
出版日期：20050900
学会名称：中国物理学会静电专业委员会
语 种：中文
摘 要：提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型.并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚度的关系,讨论了介质击穿电压与ESD(静电放电)敏感度的尺寸效应,对于厚度为0.01μm、面积为9.09×10cm氧化层,其击穿电压约为208V;若面积不变,厚度缩小为原来的1/10,则其击穿电压降为160V;若面积也等比例缩小,则击穿电压降为20V,其结果是耐ESD 的能力大幅度降低.
关 键 词：介质击穿 ESD 技术 氧化层
分 类 号：O461.2]
参考文献：
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引证文献：
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同被引文献：
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