会议论文详细信息
IC器件在HBM ESD脉冲电压下的介质击穿实验研究
文献类型：会议
作者单位：上海海事大学电磁兼容与静电研究室
基 金：上海市科技基金(031Z01)
会议文献：中国物理学会静电专业委员会第十二届学术年会论文集
会议名称：中国物理学会静电专业委员会第十二届学术年会
会议日期：20051000
会议地点：中国青岛
主办单位：中国物理学会静电专业委员会
出版单位：《北京理工大学学报》编辑部
出版日期：20050900
学会名称：中国物理学会静电专业委员会
语 种：中文
摘 要：在IC 器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBM ESD)中的波动电压加于氧化层上时的介质击穿.发现了氧化层上的俘获空穴密度临界值随薄膜厚度的变化十分敏感,当厚度由0.010μm 减少至0.003μm 时,俘获空穴密度临界值由0.100 C/cm减少至0.002C/cm.相应地,IC 器件抗ESD的性能也急剧下降.
关 键 词：静电放电 HBM 模型 介质击穿
分 类 号：O482.4]
参考文献：
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引证文献：
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同被引文献：
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