文献类型：会议

作　　者：李学文 孙可平 李学军

作者单位：上海海事大学电磁兼容与静电研究室 上海海事大学电磁兼容与静电研究室 甘肃中医学院学生处

基　　金：上海市教委青年教师基金

会议文献：中国物理学会静电专业委员会第十三届学术年会论文集

会议名称：中国物理学会静电专业委员会第十三届学术年会

会议日期：20060000

会议地点：中国河北石家庄

主办单位：中国物理学会静电专业委员会

出版单位：军械工程学院学报编辑部

出版日期：20060900

学会名称：中国物理学会静电专业委员会

语　　种：中文

摘　　要：随着 CMOS 技术进入深亚微米领域,CMOS 器件薄栅氧化层厚度、PN 结更浅及器件沟道更短,这就导致 CMOS 集成电路容易遭受 ESD 损害（只需较低的能量和电压就可以损坏 CMOS 器件）。因此,CMOS 器件的 ESD 保护变得既重要,又更加困难。本文介绍深微米 CMOS 集成电路 ESD 保护技术的最新进展,探讨 CMOS 器件保护电路设计和优化中出现的问题,并进行详细讨论。

关 键 词：ESD 保护  集成电路 CMOS 保护器件  

分 类 号：TN432]