文献类型：会议

作　　者：马雍子岩

作者单位：首都师范大学物理系北京市纳米光电子学重点实验室

会议文献：第二十届全国光散射学术会议（CNCLS 20）论文摘要集

会议名称：第二十届全国光散射学术会议（CNCLS20）

会议日期：20191103

会议地点：中国江苏苏州

出版日期：20191100

学会名称：中国物理学会光散射专业委员会

语　　种：中文

摘　　要：作为一维纳米材料的典型代表,银纳米线由于其独特的光学、电学、热学和力学特性,被广泛应用于光子器件、太阳能电池、生物传感器、纳米集成光路和光通信等领域。同时银纳米线也是一种高效优良的一维SERS基底,被应用于SERS增强机制理论和实验的研究,推动了表面等离子体学的发展。在一维银纳米线作为SERS基底的特性研究中,温度对SERS增强稳定性具有明显影响,这可能是温度改变了SERS基底的表面结构造成的。因此,研究温度对银纳米线表面结构的影响,对于研究银纳米线SERS特性具有重要意义。然而,目前针对温度对SERS基底的影响的研究较少。本文研究了温度对一维银纳米线SERS基底的影响。本文采用化学合成方法制备银纳米线,对制得的银纳米线进行加热。加热后在其表面吸附R6G分子,再进行SERS光谱测试。图1中a、b、c、d分别为纳米线在室温、200℃、350℃和400℃加热后的SERS光谱图。从图中可以看出,随温度的升高,R6G分子的SERS信号不断增强,350℃时达到最强。之后随加热温度继续升高,SERS信号逐渐减弱。相应的扫描电镜图表明,随温度升高,银纳米线表面趋于粗糙,350℃附近,纳米尺度的粗糙度最大,因此SERS信号最强。400℃时,银纳米线表面趋于分解,纳米尺度的粗糙度消失,导致SERS信号减弱。显示温度对一维银纳米线SERS基底的表面结构造成了明显改变,从而导致R6G分子SERS光谱的变化。进一步,我们观察了R6G分子SERS光谱背底的变化。可以看出室温时,高波数背底明显高于低波数背底。200℃时,高波数背底和低波数背底强度相近。350℃时,低波数背底反而高于高波数背底。400℃时,其背底轮廓类似于200℃的SERS背底轮廓。SERS背底增强是SERS效应的重要伴随现象,背底随温度升高的明显变化,在一定程度上反应了R6G分子在银纳米线表面吸附方式的变化。而这种

关 键 词：表面增强拉曼散射 表面结构  

分 类 号：O657.37]