文献类型：会议

作　　者：刘畅 陈建林 赵威 俱佳尧

作者单位：长沙理工大学能源与动力工程学院能源高效清洁利用湖南省高校重点实验室

基　　金：国家自然科学基金项目（52176177）;湖南省研究生科研创新项目（CX20210798）

会议文献：第三届全国太阳能电池材料与器件大会论文集

会议名称：第三届全国太阳能电池材料与器件大会

会议日期：20230428

会议地点：中国广西桂林

出版日期：20230428

语　　种：中文

摘　　要：低温制备高质量的二氧化锡（SnO）薄膜为其在柔性钙钛矿太阳电池电子传输层（ETL）中的应用展现出极大的潜力。本文针对SnO的低温结晶问题,设计了一种冷凝回流法制备SnO纳米晶溶胶。然而,低温制备的SnO薄膜（<200℃）残余大量的氯离子（Cl）与氢离子（H）,影响上层CsPbBr钙钛矿的成膜性能并造成载流子界面处大量非辐射复合。为解决这一问题,采用KOH、CsOH、KCl溶液对钙钛矿/SnO ETL界面进行改性,探索阳离子（对比K和Cs）和氢氧根离子（对比OH和Cl）对器件光电性能的影响,以期望OH中和残余的H+,K+或Cs+扩散至CsPbBr钙钛矿层填充Cs空位,残存的Cl-扩散至CsPbBr钙钛矿层能够填充Br空位和与配位不足的Pb配位。结果表明,KOH调控效果最佳,不仅提高了CsPbBr的成膜质量,而且通过K和OH的协同作用,显著降低了载流子非辐射复合的缺陷态密度,优化了CsPbBr/SnO ETL能级排列,提高了电子的抽取与传输能力。未经界面调控的FTO/SnO/CsPbBr/carbon器件的光电转换效率（PCE）、填充因子（FF）、开路电压（Voc）、短路电流密度（Jsc）分别为5.86%、0.66、1.40 V、6.37 mA/cm;经过KOH改性后,结构为FTO/SnO/KOH/CsPbBr/carbon的最优器件PCE、FF、Voc、Jsc分别提升至7.80%、0.71、1.46 V、7.50 mA/cm,各项性能指标均有明显的提升。

关 键 词：钙钛矿太阳电池  CsPbBr3  SNO2 KOH 界面调控  

分 类 号：TM914.4]