文献类型：会议

作　　者：刘晶 章海霞 赵君芙 马淑芳 梁建 许并社

作者单位：[1]太原理工大学新材料界面科学与工程省部共建教育部重点实验室 [2]太原理工大学材料科学与工程学院

基　　金：山西省回国留学人员科研资助项目(No.2008-37);山西省回国留学人员重点资助项目(No.2009-03)

会议文献：2011中国材料研讨会论文摘要集

会议名称：2011中国材料研讨会

会议日期：20110517

会议地点：中国北京

主办单位：中国材料研究学会

出版日期：20110517

学会名称：中国材料研究学会

语　　种：中文

摘　　要：复合脉冲电镀沉积法是近年来新兴的复合材料电沉积技术。本研究以Ga与As2O3为镓源与砷源,铂片为对电极,饱和甘汞电极为参比电极,采用复合脉冲电沉积法在SnO2导电玻璃衬底上制备得到GaAs薄膜。利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、光致发光仪(PL)等对样品进行分析测试与表征,通过研究电流密度、占空比、脉冲频率、电镀液pH值、离子浓度等参数对电沉积GaAs薄膜的质量、膜厚、晶体结构、以及光学性能的影响,得到了复合脉冲电沉积法制备GaAs薄膜的最佳工艺。

关 键 词：电沉积 复合脉冲  砷化镓

分 类 号：TB383.2[材料类]