会议论文详细信息
单空位缺陷扶手椅型二硫化钼纳米带电子结构与性质研究
文献类型：会议
作者单位：中国石油大学(北京)理学院表面物理实验室
基 金：中国石油大学(北京)基础科研基金(KYJJ2012-06-26)
会议文献：中国化学会第十二届全国量子化学会议论文摘要集
会议名称：中国化学会第十二届全国量子化学会议
会议日期：20140612
会议地点：中国山西太原
主办单位：中国化学会
出版日期：20140612
学会名称：中国化学会
语 种：中文
摘 要：采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法,研究了单硫空位缺陷[1]扶手椅型二硫化钼纳米带[2](AMo S2NR)的电子结构与性质。研究发现:完整的AMo S2NR是具有一定带隙的半导体带;引入硫空位后,纳米带的带隙减小,减小程度因缺陷位置不同而不同。同时,空位缺陷AMo S2NR边缘上的Mo原子向纳米带内侧收缩加剧,且在有空位的半层Mo-S键长缩短,键角减小。
关 键 词：扶手椅型二硫化钼纳米带 空位缺陷 电子结构 第一性原理
分 类 号：O614.612]
参考文献：
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引证文献：
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同被引文献：
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