文献类型：会议

作　　者：王巍 兰中文 吴志刚 姬洪

作者单位：[1]重庆邮电大学光电工程学院 [2]电子科技大学微电子与固体电子学院 [3]四川师范大学工程技术系

会议文献：2006年全国光电技术学术交流会会议文集（B 光学系统设计与制造技术专题）

会议名称：2006年全国光电技术学术交流会

会议日期：20061100

会议地点：中国四川成都

主办单位：中国宇航学会光电技术专业委员会

出版单位：《红外与激光工程》编辑部

出版日期：20061000

学会名称：中国宇航学会光电技术专业委员会

语　　种：中文

摘　　要：高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。随着集成电路中器件尺寸的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过程终点的准确判断是目前所面临的一个严峻考验,传统的OES终点检测技术已经远远不能满足深亚微米刻蚀工艺需求。讨论IEP终点检测技术的原理,针对多晶硅栅的等离子体刻蚀工艺,讨论了IEP终点检测技术在深亚微米刻蚀工艺中的应用,IEP预报式终点检测技术已经运用在新近研发的HDP刻蚀机的试验工艺上,最后对IEP终点检测技术未来的发展趋势进行了展望。

关 键 词：IEP  高密度等离子体 刻蚀工艺 终点检测  

分 类 号：TN405]