文献类型：成果

完 成 人：邓小玲 符春林 蔡苇 唐笑 胡文康

完成单位：重庆科技学院

项目年度编号：1600031527

公布年份：2015

登 记 号：渝科成字2014J654

应用行业：金属表面处理及热处理加工

联系单位：重庆科技学院

联 系 人：邓小玲;符春林;蔡苇;唐笑;胡文康

语　　种：中文

成果简介：采用sol-gel法成功的制备了BZT薄膜，BZT为四方相的钙钛矿结构，当退火温度为600℃时开始晶化，而当退火温度达到900℃时，薄膜晶粒生长完成，裂纹减小，薄膜表面平整。此时BZT薄膜的介电常数较大而损耗较低。但BZT薄膜的介电常数和损耗随温度变化不大，随着退火温度的升高，BZT薄膜居里温度升高。确定了掺杂BZT薄膜的最佳制备工艺，退火制度为：氧化气氛下，退火温度900℃，保温30min。掺镧和掺锡的BZT薄膜为均为钙钛矿结构，随着掺入量增加，其晶体结构将有所改变。BZT薄膜的晶粒尺寸随着镧掺入量先增大后减小，当镧掺入量为8at%时最大约为44nm。镧的掺入显著降低了BZT薄膜的介电常数，但随着镧掺入量的增加，介电常数变化不大；而锡的掺入达到8%时，介电常数最大，而此时介电损耗最小。掺镧和锡的BZT薄膜的结构表面都比较平整，孔洞及裂纹较少，而温度对其介电性无明显影响。

关 键 词：薄膜  退火工艺 钙钛矿结构

分 类 号：TG1]