科技成果详细信息
H<,+>离子敏感器件
文献类型：成果
完成单位：天津市第四半导体器件厂
项目年度编号：91209187
鉴定部门：天津市科委
公布年份：0
成果类别：应用技术
应用行业：电子器件制造
联系单位：天津市第四半导体器件厂
语 种：中文
成果简介：Ｈ＜′＋＞离子敏感器件主要用于生物医学和化工自控。它可以检测溶液中各种离子的活度，使之转变为电信号输出。该器件是一种由离子活性材料层（敏感膜）代替金属－氧化物－半导体场效应晶体管中的金属栅而构成的新型化学传感器，当传感器的敏感膜与溶液接触时，器件应有选择地与溶液中的离子产生响应，以实现测量溶液中离子活度的目的。主要技术指标：源漏结击穿电压１２０Ｖ；栅源电流＜１０的负１２次方Ａ；域值电压－１～０．５Ｖ；响应灵敏度３０～７０ＭＶ／ＰＦ；响应时间＜３０Ｓ；响应范围０～１０的负５次方Ｍ；测量溶液ＰＨ值范围５～７；稳定性漂移速度≤１ｍＶ／ｈ。该成果可替代进口若投入生产，可使生物医学、化工制药、酿酒等成分检测实现自动化。
关 键 词：性能指标 传感器 测量仪器 离子活度计
分 类 号：TN3]
参考文献：
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同被引文献：
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