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科技成果详细信息

高质量4-6英寸砷化镓单晶产业化技术研究       

文献类型:成果

完 成 人:惠峰 卜俊鹏 王文军 郑红军 高永亮

完成单位:北京中科镓英半导体有限公司 北京京仪世纪自动化设备有限公司

项目年度编号:hg06043554

鉴定部门:北京市科委

公布年份:2004

应用行业:石墨及其他非金属矿物制品制造

联系单位:北京中科镓英半导体有限公司

联 系 人:惠峰;卜俊鹏;王文军;郑红军;高永亮

语  种:中文

成果简介:该项目的发展前景是:以数字移动通讯、卫星通讯、光纤通讯、全球定位系统(GPS)等电子信息技术产品需求为背景;确保现代国防中电子对抗、相控阵雷达、精确制导、卫星定位系统等电子系统的基础材料需求;为大直径砷化镓(SI-GaAs)材料的产业化技术打下坚实基础。从而使我国的GaAs化合物半导体材料的发展跟上世界发展的步伐,以推动化合物半导体器件及电路的快速发展,使我国化合物半导体材料、器件及电路的总体水平达到国际水平。

关 键 词:晶体生长 砷化镓单晶 产业化技术  

分 类 号:TN3] O78]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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