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专利详细信息

一种对集成电路关闭内部功能的实现方法       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN200610062366.7

申 请 日:20060830

发 明 人:仇建

申 请 人:北京兆日科技有限责任公司

申请人地址:100088 北京市海淀区知春路6号锦秋国际大厦B座4层

公 开 日:20090318

公 开 号:CN100470680C

代 理 人:王永文

代理机构:44268 深圳市君胜知识产权代理事务所

语  种:中文

摘  要:本发明公开了一种对集成电路关闭内部功能的实现方法,其包括以下步骤:A、在集成电路芯片工作模式下向其非易失存储器里的预定单元中,写入一个预先定义的特征值;B、所述集成电路内部相关功能电路采用分级复位,在分级复位的过程中强制逐个验证所述非易失存储器预定单元中是/否是预定的特征值,以打开/关闭对应的功能/模式。本发明方法通过在存储区域内存储的特定特征值,实现在上电复位时的不同的功能的选择性关闭,从而增强了芯片的安全性,并且针对不同情形实现了集成电路的永久选择性设置。

主 权 项:1、一种对集成电路关闭内部功能的实现方法,其包括以下步骤:A、在集成电路芯片工作模式下向其非易失存储器里的预定单元中,写入一个预先定义的特征值,所述特征值不是非易失存储器测试用数值;B、所述集成电路内部相关功能电路采用分级复位,在分级复位的过程中强制逐个验证所述非易失存储器预定单元中是/否是预定的特征值,以打开/关闭对应的模式;所述分级复位的过程是:B1、在上电复位过程中,检测到所述非易失存储器的预定单元里的数据是第一模式的特征值,置该第一模式为有效;B2、在所述集成电路芯片上电复位结束后,向所述非易失存储器预定单元中写第二模式的特征值;B3、当所述集成电路芯片再次上电复位时,检测到所述非易失存储器预定单元中的第二模式特征值,所述集成电路芯片就工作在第二模式。

关 键 词:集成电路 非易失存储器 特征值 复位 分级  集成电路芯片 特定特征值  存储区域  工作模式  内部功能  上电复位 相关功能  预先定义  电路 存储  芯片 验证  内部  

IPC专利分类号:G11C16/22(20060101);G06F21/00(20060101)

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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