文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN200710165851.1

申 请 日：20040330

发 明 人：菅原聪 田中雅明

申 请 人：独立行政法人科学技术振兴机构

申请人地址：日本崎玉县

公 开 日：20100609

公 开 号：CN101159287B

代 理 人：李辉

代理机构：11127 北京三友知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及具有自旋相关转移特性的隧道晶体管及使用了它的非易失性存储器。按照将本发明的铁磁性半导体用于沟道区的MISFET，具有作为可用栅电压控制漏电流的晶体管的特性，与此同时，还一并具有其转移电导可受铁磁性沟道区与铁磁性源(或铁磁性漏，或铁磁性源和铁磁性漏双方)的相对的磁化方向控制的特征性的特性。从而，可由该相对的磁化方向来存储2值的信息，与此同时，可用电学方法检测出该相对的磁化方向。另外，只要应用因由铁磁性半导体构成的沟道区的场效应导致的磁性控制，即可大幅度减少信息的改写所需的电流。因此，上述MISFET可构成适合于高密度集成化的高性能非易失性存储单元。

主 权 项：1.一种晶体管，其特征在于，具有：铁磁性半导体层，该铁磁性半导体层掺杂有磁性元素并且为p型或n型沟道；向该铁磁性半导体层注入载流子的源；接受注入到上述铁磁性半导体层的载流子的漏；施加控制从上述源至上述漏的传导的电压的栅电极，其中，上述源或上述漏中的任何一方是包含与上述铁磁性半导体层结合的由非磁性体构成的非磁性隧道势垒和与该非磁性隧道势垒结合的由铁磁性体构成的铁磁性电极而构成的铁磁性源或铁磁性漏。

关 键 词：磁化方向  沟道区  磁性半导体 非易失性存储单元  非易失性存储器 高密度集成  隧道晶体管  磁性控制  电学方法  电压控制 因由  场效应 漏电流  晶体管  电导 电流  转移  改写  存储  检测  

IPC专利分类号：H01L29/66(20060101);H01L27/22(20060101);H01L23/522(20060101)