专利详细信息
文献类型:专利
专利类型:发明专利
是否失效:否
是否授权:否
申 请 号:CN200810025294.8
申 请 日:20080430
申 请 人:扬州华夏集成光电有限公司
申请人地址:225009 江苏省扬州市扬子江南路518号
公 开 日:20081001
公 开 号:CN101276865A
代 理 人:张荣亮
代理机构:扬州苏中专利事务所
语 种:中文
摘 要:本发明涉及一种发光二极管制作工艺,属于LED技术领域,本发明为克服现有铝电极LED制程中所存在若干缺点,主要特点是以氧化铟锡N型导电物质做发光二级管的N电极,无需合金便与外延片具有较好接触,这样就使得可以在做完厚铝开图光刻形成P电极后,再对衬底研磨减薄做N电极,避开了原先做N电极前需合金而使铝硬化的问题,本发明一方面能缩短四元LED制作的工时,节约成本,另一方面可减少制程中的破片问题,便于企业生产,有利于提高产品质量和生产效率,降低生产成本和提高企业经济效益。
主 权 项:1、一种发光二极管制作工艺,其结构依次为P电极、窗口层、发光区、衬底和N电极,制作工艺首先在包括窗口层、发光区和衬底的外延片的窗口层上做层底金合金,其特征是所述的制作工艺还依次包括在底金合金上镀厚铝,开图光刻形成P电极,然后研磨减薄已形成P电极后的外延片的衬底,最后在衬底上蒸镀N型导电物质形成N电极。
关 键 词:电极 制程 合金 企业经济效益 发光二极管 发光二级管 导电物质 节约成本 企业生产 研磨减薄 氧化铟锡 外延片 衬底 厚铝 图光 工时 生产成本 硬化 接触
IPC专利分类号:H01L33/00(20060101)
参考文献:
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引证文献:
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二级引证文献:
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同被引文献:
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