文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN200810115699.0

申 请 日：20080626

发 明 人：李润源 张鸣剑

申 请 人：北京京仪世纪自动化设备有限公司

申请人地址：100079 北京市丰台区永外宋家庄苇子坑2号

公 开 日：20081029

公 开 号：CN101293652A

代 理 人：赵镇勇

代理机构：11260 北京凯特来知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种物料完全循环的太阳能级多晶硅氢锌还原方法，首先将Si和H<Sub>2</Sub>、Cl<Sub>2</Sub>反应合成SiHCl<Sub>3</Sub>，然后将SiHCl<Sub>3</Sub>通过H还原生产多晶硅，H还原过程中的副产物SiCl<Sub>4</Sub>回收后，再通过Zn还原生产多晶硅。Zn还原过程中的副产物ZnCl<Sub>2</Sub>通过电解得到Zn和Cl<Sub>2</Sub>。其中，电解得到的Zn可以用于Zn还原过程中；电解得到的Cl<Sub>2</Sub>可以用于合成SiHCl<Sub>3</Sub>过程中。将锌还原和H还原生产多晶硅的工艺相结合，将SiCl<Sub>4</Sub>进行锌还原完全转化成硅，对锌还原反应生成的ZnCl<Sub>2</Sub>电解，生产Zn和Cl<Sub>2</Sub>并循环应用于过程中，使多晶硅生产过程中产生的SiCl<Sub>4</Sub>副产物得到了有效的回收利用，降低了成本和对环境的污染、节省了能源。

主 权 项：1、一种物料完全循环的太阳能级多晶硅氢锌还原方法，包括首先将Si和H₂、Cl₂反应合成SiHCl₃，然后将所述SiHCl₃通过H还原生产多晶硅，其特征在于，所述H还原过程中的副产物SiCl₄通过Zn还原生产多晶硅。

关 键 词：还原  多晶硅 电解 还原过程  副产物 多晶硅生产  反应合成  还原反应  还原方法  循环应用 回收  相结合  成硅  太阳能  能源  污染  转化  

IPC专利分类号：C01B33/03(20060101);C01B33/033(20060101);C01B33/039(20060101)