文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN200810019231.1

申 请 日：20080117

发 明 人：李红军 徐军 林岳明 曾金穗

申 请 人：扬州华夏集成光电有限公司

申请人地址：225009 江苏省扬州市扬子江南路518号

公 开 日：20081029

公 开 号：CN101294307A

代 理 人：张荣亮

代理机构：扬州苏中专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及一种回旋式连续供料的晶体生长方法及其装置，属于结晶工艺技术领域，所述的方法是装料的坩埚在旋转机构的带动下依次经过具有上/下装料区、预熔区、生长区和退火区完成晶体生长；所述装置由环形布置的上/下装料区、预熔区、生长区、退火区和旋转机构构成的炉体，通过在环形布置的装置中完成晶体生长过程的几个关键操作，可以有效地减少晶体生长周期，可以进行连续供料不间断生长，降低能耗和成本，可以同时进行多根晶体的生长，本发明所提供的方法可以应用于生长大尺寸片状金属、半导体、陶瓷、共熔化合物晶体(如硅、氧化铝、尖晶石、石榴石等等)。本发明所提供的方法还可用来对原料进行反复的提纯处理。

主 权 项：1、一种回旋式连续供料的晶体生长方法，其特征是所述的方法是装料的坩埚在旋转机构的带动下依次经过具有上/下装料区、预熔区、生长区和退火区完成晶体生长。

关 键 词：装料 退火  连续供料  旋转机构  生长区  生长  晶体生长方法  晶体生长过程 晶体生长周期  结晶工艺  晶体生长 片状金属  熔化合物  大尺寸 尖晶石 石榴石 氧化铝  提纯  炉体  坩埚  半导体  回旋  能耗  陶瓷  

IPC专利分类号：C30B35/00(20060101)