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专利详细信息

一种使用太阳炉提纯硅材料的方法       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN200910301389.2

申 请 日:20090408

发 明 人:陈应天 林晨星 何祚庥 林文汉

申 请 人:北京应天阳光太阳能技术有限公司

申请人地址:100085 北京市海淀区上地西路8号院上地科技大厦4号楼303

公 开 日:20140319

公 开 号:CN101549868B

语  种:中文

摘  要:本发明提供了一种使用太阳炉对普通金属硅进行提纯,主要是去除硼、磷及其他金属或非金属杂质的方法。其方法的要旨在于将颗粒状的金属硅与以二氧化硅、氧化钙、氟化钙、氧化钡、三氧化二铝等为主的添加剂固体混合物制成的固体棒进行直接照射以促进高温光化学反应的进行。一万倍以上聚焦的太阳光在瞬间产生1700℃~2000℃的高温对上述混合体的表面进行快速熔融并尽可能充分地将硅料与添加剂进行高温光化学反应,液态金属硅中的硼及磷在短时间内被同时形成的液态的添加剂反应并去除。与此同时,其他非金属杂质,特别是碳,能够被迅速氧化;某些金属杂质含量,例如:锂、钠、镁、钙、铁等也可由于氧化或蒸发而减少。

主 权 项:1.一种使用太阳炉对普通金属硅与添加剂的固体混合物制成的固体料棒进行光加热以去除金属硅中的硼与磷及其他金属杂质的方法,其特征是在空气中对用金属硅与添加剂的固体混合物制成的固体料棒进行直接的光加热和高强度辐射,所制成的固体料棒可以用悬吊,侧握或其他装夹方式固定,免除了坩埚的使用,被加热物质受光后迅速熔化促进快速的光化学反应。

关 键 词:添加剂  非金属杂质  光化学反应  金属杂质含量  固体混合物 三氧化二铝  二氧化硅  普通金属 液态金属  氟化钙  金属硅  颗粒状  硼及磷  太阳光  太阳炉 氧化钡 氧化钙  提纯 硅料  熔融  要旨 蒸发  照射  聚焦  金属  

IPC专利分类号:C01B33/037(20060101)

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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