文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN200910029292.0

申 请 日：20090408

发 明 人：王毅 谢盛达

申 请 人：扬州扬杰电子科技有限公司

申请人地址：225008 江苏省扬州市维扬区平山堂北路江阳工业园创业园三期

公 开 日：20090826

公 开 号：CN101515584A

代 理 人：奚衡宝

代理机构：11278 北京连和连知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：一种用MOS工艺结构集成的二极管芯片。涉及一种由多个单元集成的二极管芯片。本发明芯片的硅片中集成有若干个含有8个半导体管的“细胞”电路，每个半导体管中均设有栅(G)、源(S)、漂移区、漏(D)，所述的栅(G)、源(S)短接；在硅片两面设正极面铝钛镍银金属层、负极面铝钛镍银金属层，所述栅(G)嵌入正极面铝钛镍银金属层的底面，所述漏(D)接触负极面铝钛镍银金属层的顶面。本发明采用MOS工艺结构设计制造，根据MOC场效应晶体管P沟道器件效应原理，设计成柵－源短路新型结构。正向导通压降小、正向导通功耗及发热量小、电流通过能力强、反向漏电流小、反向高温特性好和具有较强抗静电抗雷电能力。

主 权 项：1、一种用MOS工艺结构集成的二极管芯片，其特征在于，所述芯片的硅片中集成有若干个含有8个半导体管的“细胞”电路，每个半导体管中均设有栅(G)、源(S)、漂移区、漏(D)，所述的栅(G)、源(S)短接；在硅片两面设正极面铝钛镍银金属层、负极面铝钛镍银金属层，所述栅(G)嵌入正极面铝钛镍银金属层的底面，所述漏(D)接触负极面铝钛镍银金属层的顶面。

关 键 词：银金属层  面铝  钛镍 正极  二极管芯片 负极  半导体管 向导  漂移  场效应晶体管 工艺结构设计  发热量  反向漏电流 多个单元  高温特性  工艺结构  沟道器件  效应原理  短路  抗静电  硅片  底面  顶面  短接  功耗  压降  电流  雷电  嵌入  电路  芯片  细胞  接触  

IPC专利分类号：H01L27/105(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101);H01L31/02(20060101)