文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN200910209246.9

申 请 日：20091027

发 明 人：李丰 苏文明

申 请 人：苏州纳科显示技术有限公司

申请人地址：215125 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

公 开 日：20110615

公 开 号：CN101697343B

代 理 人：陶海锋

代理机构：32103 苏州创元专利商标事务所有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种薄膜封装方法，采用PECVD法，在器件表面生长薄膜的方式使器件与空气中的水氧隔离，并达到物理保护的目的，从而实现对器件封装，具体的方法为：(1)将待封装器件置于PECVD装置中，设置掩膜板以控制封装的区域；(2)利用有机硅前驱体，采用PECVD法，等离子条件下沉积无机层、聚合物层或过渡层；得到所需封装结构。本发明采用PECVD法可以在一个反应腔就可以完成聚合物层、无机层和过渡层的制备，从而简化操作步骤、降低成本和缩短周期；同时制备的封装层具有大量聚合物或者成分从柔软聚合物渐变到氧化硅或氮化硅的过度层结构，因而具有足够的柔韧性，无界面问题的影响。

主 权 项：1.一种薄膜封装方法，其特征在于，具体包括以下步骤：(1)将待封装器件置于等离子体增强化学气相沉积装置中，设置掩膜板以控制封装的区域，遮蔽无需封装的区域；(2)调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的气体，利用有机硅前驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法，交替沉积聚合物层和无机层；(3)重复步骤(2)2～20次；所述步骤(2)中，在相邻的无机层和聚合物层之间设置过渡层，设置过渡层的方法具体包括以下步骤：调整等离子体增强化学气相沉积装置中气体，利用有机硅前驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法，使氮或/和氧的分压占等离子体增强化学气相沉积装置中气体总压的比例大于零且小于三分之二，等离子条件下沉积过渡层。

关 键 词：聚合物  过渡层 封装 简化操作步骤  等离子条件  有机硅前驱  柔韧性  薄膜封装 封装结构  封装器件 界面问题  器件表面  生长薄膜  物理保护  层结构  氮化硅  对器件  反应腔  封装层  掩膜板 氧化硅  沉积  水氧  隔离  

IPC专利分类号：H01L21/56(20060101);H01L21/312(20060101);H01L21/314(20060101);H01L23/31(20060101);H01L23/29(20060101);H01L51/56(20060101);H01L51/52(20060101)