文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN200910057602.X

申 请 日：20090716

发 明 人：赖建明 苏青峰 张根发 刘红梅 冯世军 韩新江 杨文平 胡之骥

申 请 人：上海联孚新能源科技有限公司

申请人地址：201201 上海市浦东新区王桥路1003号

公 开 日：20091223

公 开 号：CN101609860A

代 理 人：王法男

代理机构：上海硕力知识产权代理事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种CdTe薄膜太阳能电池制备方法，CdTe薄膜采用近空间升华法在透明导电玻璃上制备CdS/CdTe电池，Ni背电极采用磁控溅射获得，首先进行透明玻璃衬底预处理；制备In<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>∶F透明导电薄膜；在制备好的透明导电薄膜上使用近空间升华法生长CdS薄膜；在制备好的CdS薄膜上使用近空间升华法生长CdTe薄膜，用CdCl<Sub>2</Sub>对薄膜进行退火处理，使CdS/CdTe界面重组；使用磁控溅射仪在CdTe表面溅射Ni背电极，在高温下退火形成欧姆接触；获得高效CdTe薄膜太阳能电池；其中，所述磁控溅射仪和近空间升华炉通过插板阀连接，并由磁力机械手进行样品传递，上述步骤从玻璃衬底进入预处理室后，全部工序都在真空环境下自动完成。

主 权 项：1.一种CdTe薄膜太阳能电池制备方法，所述的CdTe薄膜采用近空间升华法在透明导电玻璃上制备CdS/CdTe电池，Ni背电极采用磁控溅射获得，其特征在于：a.透明玻璃衬底预处理；b.制备In₂O₃:F透明导电薄膜；c.在制备好的透明导电薄膜上使用近空间升华法生长CdS薄膜；d.在制备好的CdS薄膜上使用近空间升华法生长CdTe薄膜，用CdCl₂对薄膜进行退火处理，使CdS/CdTe界面重组；e.使用磁控溅射仪在CdTe表面溅射Ni背电极，在高温下退火形成欧姆接触；f.获得高效CdTe薄膜太阳能电池；其中，所述磁控溅射仪和近空间升华炉通过插板阀连接，并由磁力机械手进行样品传递，上述步骤从玻璃衬底进入预处理室后，全部工序都在真空环境下自动完成。

关 键 词：薄膜  磁控溅射  升华  预处理  薄膜太阳能电池 透明导电薄膜 电极  退火  透明导电玻璃 玻璃衬底 欧姆接触  透明玻璃  退火处理  样品传递  真空环境  制备方法  机械手  磁力  生长  插板阀 衬底 溅射  电池 连接  

IPC专利分类号：H01L31/18(20060101);C23C14/35(20060101);C23C14/22(20060101);C23C14/06(20060101)