文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN89107140.7

申 请 日：19890919

发 明 人：蒋翔六 张仿清

申 请 人：北京市科学技术研究院 兰州大学电子材料研究所

申请人地址：北京市西外南路19号

公 开 日：19920422

公 开 号：CN1016364B

代 理 人：郭佩兰

代理机构：北京市专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：一种弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法，它采用甲烷与氢气的混合气体为直流弧光放电等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的反应源气，甲烷在反应源气中的浓度控制在0.5～2.0%之间，反应中还适当增大了反应源气的流量，流量范围为2000～5000标准立方厘米/分，用本发明提供的方法制备的金刚石薄膜的平均生长速率为40～60微米/小时(四小时的平均值)，薄膜中的金刚石晶粒线度可达50～60微米，本方法与已有方法相比，沉积工艺易于控制，薄膜沉积的重复性较好。

主 权 项：1、一种弧光放电化学气相沉积金刚石薄膜的方法，它采用甲烷和氢气和氢气与氩气的混合气体作为反应源气，采用棒状电极对、衬底片位于弧光放电等离子体区内，反应源气在直流弧光放电中离解为活性基，并化学气相沉到衬底上形成金刚石薄膜，反应源气的流量范围为2000～5000标准立方厘米/分，甲烷在反应源气中的浓度控制在0.5～2.0%之间。

关 键 词：反应源气  化学气相沉积金刚石薄膜  甲烷  放电等离子体 金刚石薄膜 金刚石晶粒  薄膜沉积  沉积工艺  弧光放电 混合气体  流量范围 浓度控制  生长速率 直流弧光  氢气  薄膜  

IPC专利分类号：C23C16/26;C23C16/50