文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201010199274.X

申 请 日：20100612

发 明 人：黄伟 徐湘海 王胜 王光建 万清 胡南中 王佩 孙国伟 钱媛 刘华玲

申 请 人：无锡晶凯科技有限公司

申请人地址：214061 江苏省无锡市湖滨路655号603室

公 开 日：20101124

公 开 号：CN101894851A

代 理 人：许方

代理机构：32200 南京经纬专利商标代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公布了一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列及其制备方法，所述微阵列包括蓝宝石LED外延片、GaN列矩阵隔离结构、InGaN/GaN量子阱薄膜层、有源区、N型欧姆接触、P型欧姆接触、光线反射金属层、金属互连引线、以及支撑硅电极。所述方法采用干法ICP刻蚀出Mesa隔离结构的列单元和能放置LED字线金属引线的台面结构，然后分别电子束蒸发不同金属形成N型和P型欧姆接触，形成光线反射金属层，并用PECVD淀积二氧化硅作为钝化层；在LED阵列引线外接区域电子束蒸发金属形成LED阵列的倒装焊压焊结构；随后在硅衬底裸片的隔离氧化层上完成金属铝线图形化Al并淀积二氧化硅钝化层，最后采用倒装焊技术实现对接。

主 权 项：1.一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列，其特征在于包括LED蓝宝石外延片(1)、GaN列矩阵隔离结构(2)、N型欧姆接触引线(4)、InGaN/GaN量子阱薄膜层(5)、有源区(6)、P型欧姆接触(7)、光线反射层(8)以及支撑硅电极，其中支撑硅电极包括硅圆片(12)、SiO₂隔离层(13)、金属引线(14)、低温淀积氧化层(15)、反溅射Ti/Au金属层(16)和电镀Au金属层(17、18)；以LED蓝宝石外延片(1)为衬底，GaN列矩阵层(2)设置于衬底上，InGaN/GaN薄膜层(5)设置于GaN列矩阵层(2)上，有源区(6)设置于InGaN/GaN薄膜层(5)上，采用干法刻蚀GaN列矩阵层(2)形成多个GaN列矩阵单元，采用干法刻蚀InGaN/GaN薄膜层(5)得到N-GaN导电层(3)，GaN列矩阵单元的N-GaN导电层(3)上设置欧姆接触引线(4)，在有源区(6)上形成P型欧姆接触(7)，在P型欧姆接触(7)上设置光线反射层(8)，在以上各部件上设置SiO₂钝化层(9)，欧姆接触引线(4)和光线反射层(8)的引线外接区域设置反溅射Ti/Au层(10)，反溅射Ti/Au层(10)上设置Au层(11)；SiO₂隔离层(13)设置于硅圆片(12)上，SiO₂隔离层(13)上与GaN列矩阵单元对应设置金属位引线(14)，金属引线(14)上设置低温淀积氧化层(15)，反溅射Ti/Au金属层(16)设置于引线外接的压焊区域(14)上，Au金属层设置于反溅射Ti/Au金属层(16)上。

关 键 词：欧姆接触  隔离结构  光线反射  金属层  微阵列 淀积  电子束 二氧化硅钝化层  矩阵  氮化镓基LED  量子阱薄膜  区域电子束  蓝宝石  二氧化硅 技术实现  金属互连  金属铝线  金属引线  台面结构  蒸发金属  制备方法  钝化层 硅衬底  图形化  外延片  氧化层  电极  干法  刻蚀  裸片  寻址  压焊  有源  字线  蒸发 对接  隔离  金属 支撑  

IPC专利分类号：H01L27/15(20060101);H01L21/782(20060101);H01L21/60(20060101);G09F9/33(20060101)