文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201010281559.8

申 请 日：20100915

发 明 人：陈应天 林晨星

申 请 人：北京应天阳光太阳能技术有限公司

申请人地址：100085 北京市海淀区上地西路8号院上地科技大厦4号楼303室

公 开 日：20140430

公 开 号：CN101941700B

语　　种：中文

摘　　要：一种从工业硅中去除硼杂质的方法，包括将工业硅破碎、磁选、酸洗、烘干，然后在硅粉里加入SiO2和碱性金属化合物，将这些粉状材料混合，再将混合粉体搅拌均匀。在搅拌后的混合粉体添加膨化促进剂，使混合粉体变膨松，然后将膨松的混合粉体置入中频炉、高频炉、太阳炉、新型太阳炉、激光或聚光LED中进行高温熔炼；或者将膨松的混合粉体高压成形，成形后的块料再置入中频炉、太阳炉、新型太阳炉、激光或聚光LED中进行高温熔炼。熔炼后将硅与熔渣冷却并分离，将硅料砸碎并酸洗,即可非常高效率的去除工业硅里的硼元素。

主 权 项：1.权利要求1一种通过膨化作用从工业硅中去除硼杂质的方法，其特征包括以下步骤： （1） 将工业硅破碎成粉状，然后经过强力磁选机去除铁磁性杂质，并进一步通过酸洗以去除表层的金属杂质； （2） 将步骤(1)处理过的硅粉用净水清洗，去除残酸，然后烘干； （3） 将步骤(2)处理过的硅颗粒，与粉状的SiO₂和碱性金属化合物，然后均匀搅拌； （4） 在步骤(3)制备的硅、SiO₂和碱性金属化合物的混合物里添加膨化促进剂，所述的膨化促进剂，其特征包括在加热熔化硅和碱性金属化合物的过程中，会发生热解，产生水或气体或挥发物的物质，使所述的混合物膨化，膨化后混合物里面的物质疏松，混合物的体积增加，固体硅颗粒均匀地分布在粉状的渣剂中，混合物里各种物质的颗粒之间的空隙增加； （5） 将步骤(4)处理过的混合物，用中频感应炉，高频感应炉或者其他高温热炉或太阳炉、激光或聚光LED加热至1700℃-2000℃, 使所述的混合物熔化，对熔体进行搅拌使其发生充分的化学萃取反应； （6） 将步骤(5) 发生充分的化学反应的熔体里的硅液取出，冷却并与残渣分离，砸碎和酸洗以去除杂质，即可非常高效率的去除工业硅里的硼杂质； 所述的碱性金属化合物，单独使用或者混合使用CaO、MgO、 Na₂O、K₂O、BaO； 所述的膨化促进剂包括CaCO₃、Na₂CO₃或MgCO₃。

关 键 词：混合粉体  太阳炉 工业硅 熔炼  膨松 中频炉 聚光  酸洗  激光  碱性金属化合物  粉状材料 高压成形  高频炉  高效率  硼杂质  成形  硅粉  硅料  烘干  膨化  熔渣  冷却  破碎  

IPC专利分类号：C01B33/037(20060101)