文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201010216451.0

申 请 日：20100705

发 明 人：闫发旺 宋雪云

申 请 人：扬州中科半导体照明有限公司

申请人地址：225009 江苏省扬州市邗江中路119号

公 开 日：20130320

公 开 号：CN101937954B

代 理 人：江平

代理机构：32106 扬州市锦江专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：提高氮化镓基发光二极管内量子效率的外延生长方法，属于半导体技术领域，在生长氮化镓基蓝光/绿光发光二极管有源区的铟镓氮量子阱层期间，使氨气和Ⅲ族金属有机源材料镓和铟交替脉冲地输入生长反应室。在设定的持续时间、间隔和脉冲周期下，该调制生长过程会形成高发光效率的铟镓氮量子阱发光层。该方法可减弱铟镓氮/氮化镓量子阱的内建电场，提高量子局域化效应，增强辐射复合几率，增加发光的内量子效率，从而提高发光二极管的发光效率和亮度。该方法适用于高亮度、高发光效率的氮化基蓝光/绿光发光二极管外延材料的金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长。

主 权 项：1.提高氮化镓基发光二极管内量子效率的外延生长方法，包括如下步骤：1)在蓝宝石衬底上依次生长低温氮化镓缓冲层、氮化镓成核层、n型氮化镓层；2)在生长铟镓氮量子阱层期间，在氮化镓基蓝光/绿光发光二极管有源区的铟镓氮量子阱层生长温度环境下，于N₂或H₂保护下，使NH₃、三甲基镓、三甲基铟三者交替地脉冲输入生长反应室，形成铟镓氮量子阱层；所述反应室压强为300Torr；3)在铟镓氮量子阱层上再生长氮化镓量子势垒层；4)循环重复以上步骤2)和3)至少两次；5)最后生长p型氮化镓层；其特征在于，所述NH₃、三甲基镓、三甲基铟的流量分别为30标准升/分钟、260微摩尔/分钟和300微摩尔/分钟，生长量子阱的温度为740℃，生长量子垒的温度为820℃，所述脉冲的周期为30，在一个脉冲单元中所述NH3、三甲基镓、三甲基铟三者交替通入时间和间隔为2s。

关 键 词：铟镓氮 发光二极管 高发光效率  量子效率  量子阱  金属有机化学气相沉积 氮化镓基发光二极管 半导体技术领域  发光二极管外延  氨气  生长氮化镓基  外延生长方法  有机源材料  电场  发光效率  复合几率  交替脉冲  量子阱层  脉冲周期  生长反应  生长过程  外延生长  氮化镓 发光层  高亮度  基蓝光  局域化  蓝光 有源  调制  量子  发光 减弱  金属  辐射  

IPC专利分类号：H01L33/12(20100101);C23C16/44(20060101)