文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201110177596.9

申 请 日：20110518

发 明 人：R·K·巴尔 董华

申 请 人：罗门哈斯电子材料有限公司

申请人地址：美国马萨诸塞州

公 开 日：20111214

公 开 号：CN102280522A

代 理 人：沙永生

代理机构：31100 上海专利商标事务所有限公司

语　　种：中文

摘　　要：公开了一种制造半导体电流迹线的方法。所述方法包括在涂覆半导体的二氧化硅或氮化硅层上选择性沉积包含松香树脂和蜡的热熔油墨抗蚀剂，随后使用无机酸刻蚀剂以刻蚀二氧化硅或氮化硅层未涂覆盖的部分以暴露半导体，并同时抑制热熔油墨抗蚀剂的侧蚀。被刻蚀的部分随后可被金属化以形成多条基本均匀的电流迹线。

主 权 项：1.一种方法，所述方法包括：a)提供包括正面和背面的半导体，所述正面包括由SiO_x或氮化硅构成的抗反射层；b)将热熔油墨抗蚀剂选择性地施加至所述抗反射层，所述热熔油墨抗蚀剂包括一种或多种具有酸官能团的氢化松香树脂、和一种或多种脂肪酸，且所述热熔油墨抗蚀剂的酸值至少为190；以及c)对所述半导体施加包含一种或多种无机酸的刻蚀组合物以刻蚀去除所述半导体抗反射层的暴露部分并同时抑制侧蚀。

关 键 词：油墨抗蚀剂  氮化硅层  迹线  热熔  半导体 刻蚀二氧化硅  半导体电流  二氧化硅 松香树脂 金属化  酸刻蚀  刻蚀 涂覆  沉积  电流

IPC专利分类号：H01L31/18(20060101);H01L21/311(20060101);H01L21/308(20060101)