文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201010572202.5

申 请 日：20101203

发 明 人：吕铁铮 林洪峰 兰洵 盛雯婷 张凤鸣

申 请 人：天威新能源控股有限公司 保定天威集团有限公司

申请人地址：610200 四川省成都市双流县西南航空港经济技术开发区天威路1号

公 开 日：20120606

公 开 号：CN102485974A

代 理 人：李高峡

代理机构：成都高远知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种生长单晶硅晶体的方法。具体地，是一种采用CVD反应直接生长单晶硅的方法，具体实施步骤为：(1)在硅衬底表面镀上一层厚度为1-100微米的金属薄层；(2)将该镀有金属薄层的硅衬底放入CVD反应器腔体内，腔体内升温至高于硅衬底与金属共晶点温度，使共晶层液化，形成液态共晶层；其中，所述的共晶点温度低于1000℃；(3)通入含硅原料气至腔体内，同时腔体内升温至该原料气的还原分解温度，生成气相硅原子；(4)生成的气相硅原子被步骤(2)所形成的液态共晶层吸收至过饱和后，在硅衬底下方析出单晶结构的晶体硅。本发明节省了生产工序，降低了成产成本；同时可以选择分解温度较低的硅源气，降低生产能耗。

主 权 项：1.一种采用CVD反应直接生长单晶硅的方法，其特征在于：它是通过以下步骤实施的：(1)在硅衬底表面镀上一层厚度为1-100微米的金属薄层；(2)将该镀有金属薄层的硅衬底放入CVD反应器腔体内，腔体内升温至高于硅衬底与金属共晶点温度，使共晶层液化，形成液态共晶层；所述的共晶点温度低于1000℃；(3)通入含硅原料气至腔体内，同时腔体内升温至该原料气的还原分解温度，生成气相硅原子；(4)生成的气相硅原子被步骤(2)所得的液态共晶层吸收至过饱和后，在硅衬底下方析出单晶结构的晶体硅。

关 键 词：共晶  生长单晶硅  金属薄层  硅衬底 原料气  气相  升温  硅衬底表面  单晶结构 分解温度 还原分解  实施步骤  反应器  硅源气  晶体硅 镀有  硅衬  含硅  液化  能耗  金属  

IPC专利分类号：C30B25/00(20060101);C30B29/06(20060101)