文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201110463056.7

申 请 日：20111202

发 明 人：Y·C·裴 D·R·威尔森 孙纪斌

申 请 人：罗门哈斯电子材料有限公司 陶氏环球技术有限公司

申请人地址：美国马萨诸塞州

公 开 日：20120905

公 开 号：CN102653576A

代 理 人：陈哲锋

代理机构：31100 上海专利商标事务所有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及聚合物，光致抗蚀剂组合物和光刻图案的形成方法。提供了用于形成光刻图案的聚合物和光致抗蚀剂组合物。还提供了以光致抗蚀剂组合物涂敷的基底和形成光刻图案的方法。所述组合物，方法和涂敷基底在半导体装置的制备中具有特殊的应用。

主 权 项：1.一种聚合物，其包含：下列通式(I)的单体形成的第一单元： 其中：P表示可聚合基团；R₁表示单键，或C₁至C₁₀的线型或支链有机基团；R₂和R₃各自独立地表示氢原子或C₁至C₁₀的有机基团，任选结合形成环；R₄表示氢原子或C₁至C₁₀的有机基团；以及R₅和R₆各自独立地表示C₁至C₆的有机基团，任选结合形成环；以及包含内酯片段的第二单元。

关 键 词：光致抗蚀剂组合物  光刻图案  聚合物  半导体装置  涂敷基底  组合物 基底 涂敷

IPC专利分类号：C08F220/32(20060101);C08F222/14(20060101);C08F220/28(20060101);C08F220/18(20060101);G03F7/038(20060101);G03F7/09(20060101);G03F7/00(20060101)