文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210137222.9

申 请 日：20120503

发 明 人：苏青峰 张银喜 张根发 赖建明 韩新江

申 请 人：上海联孚新能源科技有限公司

申请人地址：201201 上海市浦东新区王桥路1003号

公 开 日：20120808

公 开 号：CN102629647A

代 理 人：王建国

代理机构：上海硕力知识产权代理事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开一种太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：对硅片氧化处理，使其表面形成一层氧化层；氧化处理后的硅片进行磷浅扩散；将磷浅扩散后的硅片进行掩膜磷深扩散；将掩膜磷深扩散处理后的硅片通入大氮气和氧气进行退火处理。本发明在扩散工艺中对硅片进行选择性的二次扩散，使硅片光吸收区浅扩散、电极印刷区深扩散，可以提高短路电流和填充因子，从而提高太阳能电池的转换效率。与传统的扩散工艺相比，不改变原有扩散设备，只是改变了工艺，可控性强，可重复性强。

主 权 项：1.一种太阳能电池的制作方法，包括以下步骤：a：对硅片氧化处理，使其表面形成一层氧化层；b：将步骤a中生成氧化层的硅片进行磷浅扩散；c：将步骤b中扩散的硅片进行掩膜磷深扩散；d：将步骤c中扩散后的硅片通入大氮气和氧气进行退火处理。

关 键 词：硅片 扩散 太阳能电池 扩散工艺  掩膜  氮气和氧气  短路电流 硅片氧化  扩散处理  扩散设备  填充因子 退火处理 氧化处理  转换效率  氧化层  电极  二次  印刷  

IPC专利分类号：H01L31/18(20060101)