文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201180014203.0

申 请 日：20110316

发 明 人：鹈殿治彦 水户洋彦

申 请 人：国立大学法人茨城大学 昭和KDE株式会社

申请人地址：日本茨城县水户市

公 开 日：20121205

公 开 号：CN102811949A

代 理 人：庞立志;孟慧岚

代理机构：72001 中国专利代理(香港)有限公司

语　　种：中文

摘　　要：提供廉价的Mg<Sub>2</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>Sn<Sub>x</Sub>多晶体的制造装置及其制造方法，所述多晶体可根据需要进行掺杂而作为可期待高性能指数的热电转换材料等进行有效利用。可通过Mg<Sub>2</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>Sn<Sub>x</Sub>多晶体的制造装置1来解决技术问题，该装置1的特征在于，至少具备：反应容器3，用于将Mg粒子与Si粒子或Mg粒子与Sn粒子的混合物、或者MgSi合金粒子或MgSn合金粒子作为主要原料2进行填充并使之反应以合成下式（1）所示的Mg<Sub>2</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>Sn<Sub>x</Sub>多晶体12；无机纤维层6，其是固定并设置在填充于反应容器3中的原料2的上方的具有通气性的无机纤维层6，其中，可通过在合成前述多晶体12期间气化的Mg与氧发生化学反应生成的生成物7而丧失前述无机纤维层6的通气性；加热装置8，加热前述反应容器3；和控制装置9，控制前述反应容器3的加热温度和加热时间。Mg<Sub>2</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>Sn<Sub>x</Sub><Sub> </Sub>式（1）［式（1）中的x为0～1］。

主 权 项：1.Mg₂Si_1−xSn_x多晶体的制造装置，其特征在于，至少具备：反应容器，用于将Mg粒子与Si粒子或Mg粒子与Sn粒子的混合物、或者Mg・Si合金粒子或Mg・Sn合金粒子作为主要原料进行填充并使之反应以合成下述式（1）所示的Mg₂Si_1−xSn_x多晶体；无机纤维层，其是固定并设置在填充于前述反应容器中的原料的上方的具有通气性的无机纤维层，其中，可通过在合成前述多晶体期间气化的Mg与氧发生化学反应生成的生成物而丧失前述无机纤维层的通气性；加热装置，加热前述反应容器；和控制装置，控制前述反应容器的加热温度和加热时间，Mg₂Si_1−xSn_x　　　・・・式（1）式（1）中的x为0～1。

关 键 词：多晶体  粒子  无机纤维 合金粒子  通气性 填充  热电转换材料 化学反应  加热时间  加热温度  加热装置  控制装置  混合物  气化  掺杂  廉价  固定  

IPC专利分类号：C01B33/06(20060101);C22C1/02(20060101);C22C13/00(20060101);C22C23/00(20060101);H01L35/14(20060101);H01L35/20(20060101);H01L35/34(20060101)