文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210346137.3

申 请 日：20120918

发 明 人：刘桂林 银波 胡光健 周慧

申 请 人：特变电工新疆硅业有限公司

申请人地址：830011 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市昆明路158号野马大厦716室

公 开 日：20121226

公 开 号：CN102836765A

代 理 人：夏晏平

代理机构：11249 北京中恒高博知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种破碎多晶硅的方法，包括如下步骤：步骤一、将多晶硅置于水池中，以水没过多晶硅为准；步骤二、给水池施加瞬间高压电，所述高压电产生的电场强度大于或等于水池临界电场强度。本发明所提供的破碎多晶硅的方法突破了传统的多晶硅破碎思路，利用水电效应破碎多晶硅，可实现大规模破碎生产，并且工艺简单；本发明所提供的多晶硅破碎装置，结构简单、安全，易于操作；本发明不仅避免了现有技术中出现的金属污染问题，而且破碎均匀，有效的减少了多晶硅粉末的形成，对提高企业效益方面具有非常重要的意义。

主 权 项：1.一种破碎多晶硅的方法，其特征在于：包括如下步骤： 步骤一、将多晶硅置于水池中，以水没过多晶硅为准； 步骤二、给水池施加瞬间高压电，所述高压电产生的电场强度大于或等于水池临界电场强度。

关 键 词：多晶硅 破碎  水池  高压电 金属污染问题  临界电场强度  电场强度 破碎装置  企业效益  水电效应  水没  大于  思路  

IPC专利分类号：B02C19/00(20060101)