文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210195828.8

申 请 日：20120423

发 明 人：R·K·巴尔 C·欧康纳

申 请 人：罗门哈斯电子材料有限公司

申请人地址：美国马萨诸塞州

公 开 日：20150819

公 开 号：CN102839377B

代 理 人：郭辉

代理机构：31100 上海专利商标事务所有限公司

语　　种：中文

摘　　要：提供了一种用于织构多晶半导体的水溶性酸性组合物，其包括碱性化合物，氟化物离子和氧化剂。还提供了一种织构方法。织构后的多晶半导体具有减小的光入射反射率。

主 权 项：1.一种蚀刻组合物，包括一种或多种碱性化合物，一种或多种氟化物离子源，一种或多种氧化剂源，并且pH为3-5，其中，所述一种或多种碱性化合物选自链烷醇胺和季铵氢氧化物中的一种或多种，所述一种或多种氟化物离子源选自一种或多种二氟化合物。

关 键 词：织构 多晶 半导体  氧化剂  碱性化合物  水溶性酸性  反射率 氟化物 光入射  组合物 离子  

IPC专利分类号：C23F1/24(20060101); C09K13/00(20060101); H01L21/306(20060101)