文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201110229831.2

申 请 日：20110811

发 明 人：郝明丽

申 请 人：沈阳中科微电子有限公司

申请人地址：110179 辽宁省沈阳市浑南新区世纪路15号火炬创新创业园裙楼6层0622房间

公 开 日：20130213

公 开 号：CN102931922A

代 理 人：史旭泰

代理机构：21107 沈阳亚泰专利商标代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：<B>一种高稳定性射频功率放大器</B> <B>单片集成电路属于射频功率放大器技术领域，尤其涉及一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路。本发明提供一种版图布局复杂程度低的高稳定性射频功率放大器单片集成电路。本发明包括射频功率晶体管，其结构要点射频功率晶体管的输入端串接有片内平面螺旋电感。</B>

主 权 项：1.一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路，包括射频功率晶体管（102），其特征在于射频功率晶体管（102）的输入端串接有片内平面螺旋电感（101）。

关 键 词：射频功率放大器 单片 集成电路 功率晶体管 射频 平面螺旋电感 版图布局  复杂程度  结构要点  输入端  串接  

IPC专利分类号：H03F1/08(20060101);H03F3/195(20060101);H03F3/213(20060101)