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专利详细信息

一种制备准单晶硅的铸锭炉及制备准单晶硅的方法       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN201210583938.1

申 请 日:20121228

发 明 人:吕铁铮 李万辉

申 请 人:江苏有能光电科技有限公司

申请人地址:212132 江苏省镇江市大港通港路7号

公 开 日:20130717

公 开 号:CN103205807A

代 理 人:李高峡;全学荣

代理机构:成都高远知识产权代理事务所(普通合伙)

语  种:中文

摘  要:本发明提供了一种制备准单晶硅的铸锭炉。本发明还提供了一种准单晶硅的制备方法,它是在准单晶铸锭炉中完成准单晶硅的生长,采用热交换装置,利用气体换热,控制温度、调节固液界面,生长准单晶。本发明通过使用特殊的热交换装置,用气体换热的方式替代传统的隔热笼换热方式,能精确控制籽晶温度,解决了固液界面不平坦的问题,提高准单晶比例以及提升硅料利用率。

主 权 项:1.一种制备准单晶硅的铸锭炉,其特征在于:包括炉体(1)、坩埚(2)、石墨柱(3);石墨柱(3)安装在炉体(1)底部,坩埚(2)安装在石墨柱(3)上,炉体(1)和坩埚(2)有导流筒(8)相连;炉体(1)和坩埚(2)之间设有隔热装置(4);坩埚(2)外部设置有加热装置(5);坩埚底部设置有热交换装置(6);热交换装置(6)上有冷气管(61)和热气管(62)与热交换器(7)连接。

关 键 词:单晶硅 热交换装置  固液界面 气体换热  单晶 单晶铸锭  精确控制  制备方法  籽晶温度  生长  隔热笼  铸锭炉  硅料  换热  平坦  

IPC专利分类号:C30B28/06(20060101);C30B29/06(20060101);C30B11/00(20060101)

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引证文献:

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同被引文献:

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