文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201310269686.X

申 请 日：20130628

发 明 人：李占成 史浩飞 邵丽 黄德萍 魏大鹏 李朝龙 杜春雷

申 请 人：重庆墨希科技有限公司 重庆绿色智能技术研究院

申请人地址：401329 重庆市九龙坡区凤笙路15号附3号

公 开 日：20130925

公 开 号：CN103318879A

代 理 人：霍本俊

代理机构：11275 北京同恒源知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：基于转移薄膜的石墨烯制备方法，转移薄膜包括有释放胶层和防粘薄膜层，石墨烯层通过释放胶层粘贴在防粘薄膜层上。本发明先在基底上采用传统方法生长出石墨烯层，再将石墨烯层贴合在转移薄膜上，最后分离出基底，形成基于转移薄膜的石墨烯。使用时，根据用户使用需求选定目标衬底后，利用覆膜工艺将目标衬底与石墨烯薄膜经加热、加压后黏合在一起，根据释放胶的性质，使释放胶释层放失去粘性，最后揭除离型薄膜。在生长石墨烯的过程中，不需要再根据客户的需求将石墨烯生长到不同的目标衬底上，在生长过程中提高了效率，增加了石墨烯的生长灵活性。

主 权 项：1.基于转移薄膜的石墨烯制备方法，其特征在于，所述转移薄膜包括有释放胶层和防粘薄膜层，石墨烯层通过释放胶层粘贴在防粘薄膜层上，具体制备方法为：1）利用化学气相沉积法，在基底上采用不同形态的碳源制备大面积、均匀石墨烯；2）利用覆膜工艺将生长在基底上的石墨烯与表面均匀涂有释放层的防粘薄膜层贴合在一起，形成基底－石墨烯-释放胶层-防粘薄膜层的复合物；3）通过基底腐蚀或剥离方法将基底从步骤3）中所述复合物中分离，形成基于转移薄膜的石墨烯。

关 键 词：石墨烯 薄膜  衬底  生长  转移  薄膜层  防粘 基底 胶层 客户的需求  石墨烯薄膜  根据用户  生长过程  制备方法  覆膜 贴合  粘贴 加压  

IPC专利分类号：C01B31/04(20060101)