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专利详细信息

具有改进的钝化的光伏器件和模块及其制造的方法       

文献类型:专利

专利类型:发明专利

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN201180049314.5

申 请 日:20110824

发 明 人:L·扬森 J·科普曼 M·N·范登东克 F·T·阿格里克拉

申 请 人:荷兰能源研究中心

申请人地址:荷兰佩腾

公 开 日:20160210

公 开 号:CN103460393B

代 理 人:王茂华

代理机构:11256 北京市金杜律师事务所

语  种:中文

摘  要:一种光伏器件,具有改进的表面钝化,如后接触金属电极绕通光伏器件的周界外壁和/或孔隙壁,例如,第一和第二半导体层的pn-结延伸到所述壁中。钝化处理包括第一类型的钝化层,覆盖被横跨pn-结的耗尽区包括的这样的壁的至少部分;第二类型的钝化层,覆盖被第一半导体层包括的这样的壁的至少部分,和第三类型的钝化层,覆盖被第二半导体层包括的外壁的至少部分。

主 权 项:1.一种光伏器件,包括:层状结构,其具有周界外壁、用于接收光辐射的前表面和与所述前表面相对的后表面;电触点排列;第一导电型的第一半导体层,所述第一层邻近于所述前表面延伸,并具有连接到所述触点排列的至少一个前电触点;第二导电型的第二半导体层,所述第二层毗邻于所述第一层延伸,并具有连接到所述触点排列的至少一个后电触点;所述第一导电型和第二导电型是相反的极性,从而通过pn-结将所述第一层和第二层分开;所述第一层和第二层延伸到所述外壁中,其特征在于,第一类型的钝化层覆盖至少所述外壁的被横跨所述pn-结上的耗尽区基本包括的部分,第二类型的钝化层覆盖至少所述外壁的被所述第一半导体层包括的部分,所述第二类型的钝化层与所述第一类型的钝化层毗邻,以及第三类型的钝化层覆盖至少所述外壁的被所述第二半导体层包括的部分,所述第三类型的钝化层与所述第一类型的钝化层毗邻。

关 键 词:半导体层  钝化层  外壁  覆盖  表面钝化 第二类型  第一类型  钝化处理 光伏器件 金属电极 耗尽区  后接触  孔隙壁  通光  一种  周界 横跨  延伸  改进  

IPC专利分类号:H01L31/0224(20060101)

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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